深硅刻蝕機(jī)
- 制造廠商：北方華創(chuàng)
- 購(gòu)置日期：暫無(wú)信息
- 型號(hào)：DSE200
- 生產(chǎn)國(guó)別：中國(guó)
- 儀器類別：工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備
- 安放地址：江蘇省
跨區(qū)域科技政策：
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上海
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杭州衢州溫州臺(tái)州舟山金華紹興湖州嘉興寧波麗水余姚
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- 儀器詳情
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DSE?200設(shè)備是針對(duì)硅功率器件開(kāi)發(fā)的專用刻蝕設(shè)備，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super?Junction中的Deep?Trench刻蝕。不同于MEMS工藝的深硅刻蝕，DSE?200設(shè)備針對(duì)的是單步平滑刻蝕工藝，保證功率器件的電壓性能。DSE?200設(shè)備針對(duì)研發(fā)/中試線/量產(chǎn)領(lǐng)域可以靈活配置平臺(tái)方式。
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暫無(wú)信息
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暫無(wú)信息
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中心/邊沿獨(dú)立MFC設(shè)計(jì)，保證8寸及以下工藝均勻性。 采用大抽速分子泵，工藝窗口更寬。 獨(dú)特設(shè)計(jì)的氣體比例控制，可以實(shí)現(xiàn)刻蝕角度80°-90°可調(diào)。 配置低頻偏壓，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)25：1的單步平滑硅刻蝕工藝。 腔室可加熱至120℃，配備優(yōu)化的Dryclean制程，保證腔室環(huán)境穩(wěn)定。 提供多種新工藝開(kāi)發(fā)及解決方案。 軟件具有安全方便的權(quán)限管理，人性化的操作界面和完善的日志記錄功能，支持工廠自動(dòng)化（FA）。
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電子與通信技術(shù)
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DSE?200設(shè)備是針對(duì)硅功率器件開(kāi)發(fā)的專用刻蝕設(shè)備，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super?Junction中的Deep?Trench刻蝕。
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暫無(wú)
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面議
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暫無(wú)信息
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暫無(wú)信息
江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心
機(jī)構(gòu)介紹: 為落實(shí)溫家寶總理關(guān)于建設(shè)“感知中國(guó)中心”重要指示，2009年11月12日，中國(guó)科學(xué)院、江蘇省人民政府、無(wú)錫市人民政府簽署共建中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心（籌）三方協(xié)議。2009年12月30日，江蘇省批復(fù)成立江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心(以下簡(jiǎn)稱：物聯(lián)網(wǎng)中心)作為中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心（籌）的建設(shè)載體。2010年10月8日，中國(guó)科學(xué)院批復(fù)成立中國(guó)科學(xué)院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心，作為中國(guó)科學(xué)院在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的總體單位，負(fù)責(zé)中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心（籌）的建設(shè)。
資質(zhì)能力：
